Поиск ПЛУТОСЕМИ Продукты

Кремний на изоляторе (SOI) — это слоистая полупроводниковая структура, в которой тонкая кремниевая плёнка расположена поверх изолирующей подложки. Такая структура широко используется в современной электронике, поскольку она улучшает электрическую изоляцию, снижает паразитную ёмкость и повышает быстродействие устройств.

Технология «Кремний на изоляторе» (SOI), часто сокращённо называемая «кремний на изоляторе», — это технология производства полупроводников, в которой тонкий слой кремния отделён от основной подложки изолирующим слоем. Эта структура отличается от традиционных объёмных кремниевых пластин тем, что активные элементы формируются на очень тонкой кремниевой плёнке, расположенной над оксидным слоем.

Сквозное кремниевое соединение (Skrölön Silicon Via) — это вертикальное электрическое соединение, полностью проходящее через кремниевую пластину, что делает его ключевым методом межсоединений в современных 3D-интегральных схемах и передовых корпусах. Оно сокращает пути прохождения сигнала, снижает потери мощности и поддерживает высокоплотную компоновку полупроводниковых устройств.

Технология «через стекло» (Scroll Glass Via) — это метод микропроизводства, используемый для создания вертикальных электрических соединений, проходящих непосредственно через стеклянную подложку. Она обеспечивает высокую плотность межсоединений, точную передачу сигналов и улучшенные тепловые характеристики в современных электронных корпусах.

В производстве полупроводников плоскостность подложки пластины является критически важным параметром. Без идеальной плоскостности последующие процессы, такие как литография, осаждение тонких плёнок, химико-механическая полировка (ХМП) и склеивание, могут пострадать с точки зрения выхода годных изделий, однородности и надёжности.

В производстве полупроводников полировка пластин играет важнейшую роль. Правильно выполненный процесс полировки обеспечивает целостность поверхности и подповерхностного слоя пластины, что, в свою очередь, способствует высокому выходу годных изделий и надёжной работе устройств. Однако дефекты полировки могут привести к снижению плоскостности, появлению царапин, углублений или частиц и, в конечном итоге, к снижению надёжности.

В современных корпусах полупроводниковых компонентов всё большую популярность приобретает технология вертикальных межсоединений через стеклянные пластины, известная как технология сквозных стеклянных переходов (TGV). В отличие от традиционных межсоединений на кремниевых или органических подложках, в TGV используются стеклянные подложки для формирования металлизированных переходных отверстий, соединяющих переднюю и заднюю части пластины или интерпозера.

Эпитаксиальный рост пластины — это процесс осаждения кристаллической плёнки на кристаллическую подложку таким образом, что осаждённая плёнка (эпитаксиальный слой) наследует структуру и ориентацию кристаллической решётки подложки. В результате получается пластина, на которой выращен активный полупроводниковый слой с очень высоким качеством кристалличности.

Сапфировые подложки, в частности, монокристаллический оксид алюминия (Al₂O₃) в форме пластин, стали незаменимым материалом в современной электронике, оптоэлектронике и высокотехнологичных оптических компонентах. Эти подложки, полученные из драгоценного камня сапфира, но выращенные в сверхчистом виде, обеспечивают уникальное сочетание оптической прозрачности, электроизоляционных, тепловых характеристик и механической прочности.

В полупроводниковой промышленности толщина пластины является критически важной характеристикой, напрямую влияющей на механическую прочность, тепловые характеристики и точность изготовления устройств. 6-дюймовая кремниевая пластина, также известная как 150-миллиметровая пластина, является одной из наиболее распространённых подложек в производстве интегральных схем (ИС) и МЭМС.

Резка кремниевых пластин — один из самых деликатных и ответственных этапов производства полупроводников. Точность на этом этапе напрямую влияет на производительность, выход годных изделий и целостность микроэлектронных устройств. Кремниевые пластины, обычно диаметром от 100 до 300 мм, чрезвычайно тонкие и хрупкие, поэтому для получения чистых кромок без трещин требуется специальное оборудование, контроль условий окружающей среды и оптимизированные параметры резки.

Сапфировые подложки стали важнейшим базовым материалом в полупроводниковой, оптоэлектронной и фотонной промышленности. Благодаря исключительной физической и химической стабильности они идеально подходят для производства светодиодов, лазерных диодов, радиочастотных устройств и оптических компонентов, требующих исключительной точности и долговечности.