Поиск ПЛУТОСЕМИ Продукты

Кремниевые пластины являются основой практически любого полупроводникового устройства — от микропроцессоров до солнечных батарей. Однако многие не осознают, насколько длителен и сложен процесс их производства. В этой статье мы подробно рассмотрим этапы, сроки и факторы, влияющие на продолжительность процесса от сырого кремния до готовой пластины.

Кремниевые пластины играют важнейшую роль в полупроводниковой промышленности. Они служат подложкой, на которой строятся микроэлектронные устройства, такие как микропроцессоры, модули памяти и датчики. Часто задают вопрос: почему кремниевые пластины круглые, а не квадратные или какой-либо другой формы?

Кремниевые пластины играют основополагающую роль в современной электронике. От смартфонов до датчиков они служат основой (подложкой), на которой основаны полупроводниковые приборы, МЭМС, системы питания и фотоника. В этой статье рассказывается о кремниевых пластинах, их особых вариантах, таких как КНИ (кремний на изоляторе), а также о том, где и как они применяются.

«Кремний на изоляторе» (SOI) — это технология полупроводниковых подложек, в которой тонкий активный слой кремния отделен от основной кремниевой подложки изолирующим слоем. Такая структура улучшает многие характеристики на уровне устройства, обеспечивая преимущества в скорости, энергопотреблении и надежности по сравнению с традиционными объемными кремниевыми пластинами.

Кремниевые пластины являются основой современной электроники, служа основой для интегральных схем (ИС), солнечных элементов и микроэлектромеханических систем (МЭМС). Однако даже микроскопические загрязнения — пыль, органические остатки или металлические примеси — могут снизить производительность пластины. Поэтому очистка кремниевых пластин — критически важный этап в производстве полупроводников.

Кремниевые пластины являются основой современной электроники, служа подложкой для интегральных схем (ИС), солнечных элементов и других полупроводниковых устройств. Хотя в промышленных процессах для резки пластин обычно используются прецизионные станки, такие как алмазные пилы, ручная резка может потребоваться для создания прототипов, исследований или мелкосерийного производства.

Кремниевые пластины – основа современной электроники, служащая подложкой для интегральных схем (ИС), солнечных элементов и других полупроводниковых устройств. Часто возникает вопрос: «Проводит ли кремниевая пластина электропроводность?» Ответ не может быть однозначным – это зависит от чистоты материала, степени легирования и условий окружающей среды.

Будучи ведущим производителем кремниевых пластин для полупроводниковой, фотоэлектрической и МЭМС-технологий, мы часто сталкиваемся с вопросом: являются ли кремниевые пластины гидрофобными или гидрофильными? Ответ неоднозначен и зависит от химического состава поверхности пластины, методов её подготовки и условий окружающей среды.

Как производитель кремниевых пластин, мы часто задаёмся вопросом об увлекательном процессе превращения необработанного песка в сверхчистые, зеркальные диски, лежащие в основе всей современной электроники. Ниже мы подробно рассмотрим, как мы создаём основу полупроводниковой промышленности.

В процессе отжига оптического стекла неизбежная разница температур между центром и краем создаёт напряжение, также известное как остаточное. Напряжение приводит к изменению свойств стекла с изотропного на анизотропное, что приводит к возникновению двойного лучепреломления.

Что такое модуль Юнга? Отношение нормального напряжения к соответствующей нормальной деформации в состоянии упругой деформации материала. В состоянии упругой деформации напряжение и деформация материала находятся в прямой пропорциональной зависимости (то есть подчиняются закону Гука), а коэффициент пропорциональности называется модулем Юнга. Модуль Юнга — это физическая величина, описывающая упругость материала.

Слово «эпитаксия» происходит от греческого слова «epi», что означает «на поверхности…». Отсюда легко понять распространённое выражение «GaN на Si», которое представляет собой структуру нитрида галлия на кремниевой подложке. В процессе получения полупроводниковых материалов подготовка пластин является ключевым звеном, включающим два основных этапа: подготовку подложки и процесс эпитаксии.