Пластина арсенида галлия (пластина GaAS) представляет собой полупроводниковый материал группы III-V, состоящий из галлия и мышьяка. Пластины GaAS обычно существуют в виде монокристаллов. Крупногабаритные высокочистые слитки получаются с помощью высокотемпературных процессов выращивания кристаллов, а затем перерабатываются в пластины стандартного размера с помощью таких процессов, как резка, шлифовка и полировка. В настоящее время пластины GaAS в основном делятся на два типа: полуизолирующие и легированные, которые подходят для высокотехнологичных электронных и оптоэлектронных приложений с различными функциональными требованиями.

1. высокая подвижность электронов:

Пластина арсенида галлия обладает чрезвычайно высокой подвижностью электронов, а скорость движения электронов под действием того же электрического поля значительно выше, чем у материалов на основе кремния. Эта характеристика обусловлена малой эффективной массой электронов в ее кристаллической структуре и слабым эффектом рассеяния решетки, что позволяет носителям быстрее мигрировать в материале, тем самым улучшая общую скорость и эффективность электрического отклика.

2. превосходный высокочастотный отклик:

Пластины GaAs обладают превосходными характеристиками высокочастотного отклика и могут поддерживать передачу и обработку сигналов гигагерцового уровня. Скорость реакции несущей у них высокая, а паразитный эффект мал. Они могут поддерживать стабильный выходной ток в условиях высоких частот, одновременно уменьшая задержку и искажение сигнала, демонстрируя динамические характеристики, превосходящие традиционные полупроводниковые материалы.

3. хорошие оптические характеристики:

Пластина арсенида галлия имеет прямую запрещенную зону, которая может эффективно излучать и поглощать фотоны. Ее зонная структура обеспечивает прямое высвобождение энергии фотонов при рекомбинации электронов и дырок, что повышает эффективность люминесценции. Кроме того, материал имеет высокий коэффициент поглощения света и подходит для создания эффективного интерфейса фотоэлектрического преобразования.

4. Низкий уровень шума:

Пластины GaAs по-прежнему способны поддерживать низкий уровень шума в условиях высокочастотной работы. Механизм рассеяния носителей заряда в них слаб, а тепловой шум и дробовой шум хорошо контролируются, что помогает улучшить отношение сигнал/шум устройства. Низкая плотность внутренних дефектов материала также помогает подавлять неожиданные электронные флуктуации и улучшать общую стабильность сигнала.

5. высокая выходная мощность:

Пластины GaAs обладают высокой токовой нагрузкой и высоким пробивным напряжением. Их кристаллическая структура стабильна и может без сбоев выдерживать высокую напряженность электрического поля, поэтому они могут стабильно работать в условиях высокой мощности. Теплопроводность материала также хорошая, что способствует рассеиванию тепла и продлению срока службы устройства.

6. хорошая линейность и стабильность:

Пластина арсенида галлия демонстрирует хорошую электрическую линейность и термическую стабильность в широком диапазоне температур. Концентрация ее носителей заряда мало изменяется с температурой, а кривая удельного сопротивления является плавной, что способствует уменьшению дрейфа электрических параметров, вызванного изменениями окружающей среды, тем самым обеспечивая надежность и стабильность длительной работы устройства.

7. контролируемые показатели допинга:

Пластины GaAs можно легировать различными элементами (такими как Si, Ge и Zn) для регулирования их проводимости и концентрации носителей заряда. Равномерность легирования в процессе роста кристаллов хорошая, а плотность состояний интерфейса низкая, что способствует созданию высокопроизводительных и высокостабильных полупроводниковых приборов, отвечающих разнообразным конструктивным требованиям.

8. разнообразные типы кристаллов:

Пластины арсенида галлия можно разделить на две категории в зависимости от их использования: полуизолирующий тип и легированный тип. Полуизолирующий тип имеет чрезвычайно низкую фоновую концентрацию носителей заряда и подходит для высокочастотных пассивных подложек, тогда как легированный тип регулирует проводимость путем введения определенных примесных элементов для удовлетворения потребностей производства активных устройств и оптоэлектронных приборов.

1. синтез сырья:

Производство пластин арсенида галлия начинается с синтеза высокочистого сырья. Галлий и мышьяк вступают в химическую реакцию в реакторе высокой температуры и высокого давления, образуя поликристаллический арсенид галлия. Поскольку мышьяк имеет высокое давление паров при высоких температурах, процесс синтеза необходимо проводить в определенных условиях высокого давления, чтобы обеспечить плавное протекание реакции.

2. рост монокристаллов:

Выращивание монокристаллов из поликристаллического арсенида галлия является одним из ключевых этапов. К распространенным методам относятся горизонтальный метод Бриджмена, метод вертикального градиентного замораживания (ВГЗ) и метод Чохральского с инкапсуляцией в жидкость (ЛЭЦ). Среди них метод ЛЭЦ в настоящее время является основным методом получения высокочистых монокристаллов арсенида галлия. Благодаря герметизации расплава арсенида галлия в стекле при высокой температуре предотвращается возникновение дислокаций в процессе роста кристаллов.

3. резка и шлифовка пластин:

После выращивания монокристалла его необходимо разрезать на тонкие пластины, а именно на пластины. Для резки обычно используют алмазные пильные диски. Поверхность пластины после резки относительно шероховатая, и для удаления поврежденного слоя, образовавшегося в процессе резки, и придания поверхности пластины большей гладкости требуется шлифование.

4. чистка и полировка:

Поверхность пластины арсенида галлия после шлифования может по-прежнему содержать примеси и мельчайшие дефекты, поэтому требуется тщательная очистка и полировка. Процесс очистки обычно включает замачивание в химическом растворе для удаления остатков с поверхности. При полировке используется специальная полировальная жидкость для механической полировки поверхности пластины с целью достижения чрезвычайно высокой плоскостности и чистоты поверхности, что имеет решающее значение для последующего производства микроэлектронных устройств.

5. Проверка и упаковка пластин:

Наконец, обработанная пластина арсенида галлия проходит проверку на соответствие требованиям по качеству и эксплуатационным характеристикам. В ходе проверки проверяются целостность кристалла, плоскостность поверхности, содержание примесей и т. д. Пластины, прошедшие проверку, упаковываются в специальный контейнер для предотвращения повреждений во время транспортировки и хранения.

1. радиочастотные и микроволновые устройства:

Пластины арсенида галлия широко используются в производстве СВЧ- и ВЧ-устройств, таких как транзисторы типа Mesfet и Hemt. Высокая подвижность электронов и низкие шумовые характеристики делают их ключевыми в базовых станциях 5G, радарах и оборудовании спутниковой связи, улучшая возможности обработки высокочастотных сигналов.

2. оптоэлектронные приборы:

Пластины GaAs широко используются в производстве светодиодов, лазерных диодов и фотодетекторов благодаря своим характеристикам прямой запрещенной зоны. Они обладают высокой световой эффективностью и высокой скоростью отклика и подходят для различных оптоэлектронных приложений, таких как дисплеи, освещение, волоконно-оптическая связь и датчики.

3. усилители мощности:

Пластина арсенида галлия имеет высокое напряжение пробоя и превосходные характеристики по мощности, поэтому ее часто используют для изготовления усилителей мощности ВЧ. Такие усилители широко используются в мобильной связи, модулях Wi-Fi и военном коммуникационном оборудовании для обеспечения стабильной и эффективной передачи сигнала.

4. инфракрасные детекторы:

Пластины GaAs могут использоваться для изготовления инфракрасных детекторов, особенно в ближнем инфракрасном диапазоне. Высокая чувствительность и быстродействие позволяют широко использовать их в системах безопасности, тепловизионной съемке и промышленном детектировании.

5. полупроводниковые интегральные схемы:

Пластины арсенида галлия могут использоваться для изготовления высокочастотных аналоговых и цифровых интегральных схем. Их превосходные высокочастотные характеристики и низкие паразитные эффекты дают им очевидные преимущества в высокоскоростных вычислениях, СВЧ-интерфейсах и специализированных интегральных схемах (ASIC).

6. солнечные элементы:

Пластины GaAs, как высокоэффективные фотоэлектрические материалы, используются для изготовления космических солнечных панелей. Они обладают высокой эффективностью фотоэлектрического преобразования и высокой радиационной стойкостью и особенно подходят для использования в аэрокосмической отрасли, обеспечивая стабильную энергию для спутников и космических зондов.

Упаковка должна быть способна выдерживать удары, вибрации, укладку и экструзию, которые могут возникнуть во время перевозки, а также должна быть легкой для погрузки и обработки.

Мы используем профессиональную упаковку кристаллических коробок. Цилиндрическая коробка защищена двухслойным мешком, внутри - пылезащитный мешок PE, а снаружи - мешок из алюминиевой фольги, который может быть изолирован от воздуха. Двухэтажные мешки упакованы в вакуум.

Мы выберем модель коробки в зависимости от продукта разных размеров. И заполнить сейсмическую пену EPE между продуктом и картонной коробкой, чтобы играть полную защитную роль.

В конечном итоге выбирается доставка товара клиенту воздушным транспортом. Это позволяет клиентам в любой стране и регионе получать продукцию в кратчайшие сроки.

Мы соблюдаем правила формы данных о безопасности материалов (MSDS), чтобы гарантировать, что перевозимая продукция не содержит вредных веществ и не вызывает загрязнения окружающей среды, взрывов и других возможных опасностей.

Площадь завода: 3000 м²

Процесс:

1. Формирование → 2. контур края → 3. шлифовка → 4. полировка → 5. очистка → 6. упаковка → 7. транспортировка

Вместимость:

Стеклянный круг - 30K пластины

Кремниевая пластина - - 20K

(6 дюймов)

Метод проверки качества: проверка продукта в соответствии со стандартом SEMI или требованиями клиента с добавлением COA продукта.

Гарантийный срок: в соответствии с требованиями контракта.

Управление системой качества:

Организация производства в соответствии с ISO 9001 и другими стандартами системы качества.

Системы и меры менеджмента качества:

● Создайте строгую систему обеспечения качества, руководители отделов и инженеры по качеству обеспечивают скоординированную работу системы качества.

• Усиление системы контроля качества, усиление контроля качества процесса

● Строгий контроль качества материалов для обеспечения того, чтобы вводимые материалы соответствовали требованиям проектирования и техническим спецификациям.

● Внедрение системы своевременного архивирования технической информации для обеспечения полноты / точности всей технической информации о переработке.

Контроль качества на этапе производства:

● Этап подготовки производства: тщательная организация соответствующего персонала для изучения чертежей продукции и технических правил, повышения технического уровня персонала.

● Контроль качества производственного процесса: внедрение строгой системы передачи, передача от предыдущего процесса к следующему, должна быть детально обработана. В то же время, укрепить систему контроля качества для обеспечения качества на каждом этапе процесса.

• Приемка качества: все процессы должны пройти проверку качества до перехода к следующему процессу.

Предпродажное обслуживание

Профессиональная техническая поддержка и бизнес - команда, чтобы помочь вам определить спецификации продукта в соответствии с использованием продукта и опубликовать спецификации.

Приобретение услуг

Производство продукции в соответствии с утвержденными спецификациями и нашей технологией.

Послепродажное обслуживание

В течение 24 часов мы ответим на любые проблемы с продуктами или процессами, с которыми сталкиваются клиенты. Мы можем выбрать различные формы услуг, такие как электронная почта, видеоконференции и т.д.