Технология «Кремний на изоляторе» (SOI), часто сокращённо называемая «кремний на изоляторе», — это технология производства полупроводников, в которой тонкий слой кремния отделён от основной подложки изолирующим слоем. Эта структура отличается от традиционных объёмных кремниевых пластин тем, что активные элементы формируются на очень тонкой кремниевой плёнке, расположенной над оксидным слоем.
-
2025-12-08