Эпитаксиальный рост пластины — это процесс осаждения кристаллической плёнки на кристаллическую подложку таким образом, что осаждённая плёнка (эпитаксиальный слой) наследует структуру и ориентацию кристаллической решётки подложки. В результате получается пластина, на которой выращен активный полупроводниковый слой с очень высоким качеством кристалличности.
-
2025-12-08